DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 49.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMTH
- RS-artikelnummer:
- 222-2887
- Tillv. art.nr:
- DMTH4014LFVWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
149,50 kr
(exkl. moms)
187,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 5,98 kr | 149,50 kr |
| 50 - 75 | 5,851 kr | 146,28 kr |
| 100 - 225 | 4,162 kr | 104,05 kr |
| 250 - 975 | 4,068 kr | 101,70 kr |
| 1000 + | 2,639 kr | 65,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2887
- Tillv. art.nr:
- DMTH4014LFVWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 49.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerDI3333 | |
| Serie | DMTH | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 49.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerDI3333 | ||
Serie DMTH | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att uppfylla de strikta kraven för fordonstillämpningar. Den är kvalificerad enligt AEC-Q101, med stöd av en PPAP.
Låg RDS(ON) – säkerställer att tillståndsförlusterna minimeras
Utmärkt Qgd x RDS (ON) produkt (FOM)
Fuktig flank för förbättrad optisk inspektion
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 49.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMTH
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 52.4 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMTH
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMTH
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 52.4 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMTH48M3SFVWQ
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMTH8008LFGQ