DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 16.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, VDFN, DMT

Se alla MOSFET-transistor

Antal (2000 enheter, på en rulle med 2000)*

15 896,00 kr

(exkl. moms)

19 870,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 18 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +7,948 kr15 896,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-2880
Tillv. art.nr:
DMT64M8LCG-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

16.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

DMT

Kapseltyp

VDFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

47.5nC

Maximal effektförlust Pd

2.16W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.3mm

Bredd

0.8mm

Höjd

3.3mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera RDS(ON) samtidigt som den bibehåller överlägsen omkopplingsprestanda. Denna enhet är idealisk för användning i strömhantering och belastningsomkopplare för bärbara datorer.

Hög konverteringseffektivitet

Låg RDS(ON) – minimerar on-state-förluster

Låg ingångskapacitans

Snabb växlingshastighet

ESD-skyddad grind

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.