DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-2860
- Tillv. art.nr:
- DMP32D9UFO-7B
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
15,55 kr
(exkl. moms)
19,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,311 kr | 15,55 kr |
| 500 - 950 | 0,302 kr | 15,10 kr |
| 1000 - 2450 | 0,298 kr | 14,90 kr |
| 2500 - 4950 | 0,289 kr | 14,45 kr |
| 5000 + | 0,282 kr | 14,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2860
- Tillv. art.nr:
- DMP32D9UFO-7B
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | X2-DFN | |
| Serie | DMP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 320mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.4mm | |
| Bredd | 0.45mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 0.65mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp X2-DFN | ||
Serie DMP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1V | ||
Maximal effektförlust Pd 320mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.4mm | ||
Bredd 0.45mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 0.65mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex P-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera på-motståndet (RDS(ON)) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Låg förpackningsprofil
Lågt motstånd vid tändning
ESD-skyddad grind
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 192 mA 65 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 510 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP22D5UFO AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 500 mA 12 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 410 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMN31D5UFO AEC-Q101