DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-2853
- Tillv. art.nr:
- DMP2069UFY4Q-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 222-2853
- Tillv. art.nr:
- DMP2069UFY4Q-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Kapseltyp | X2-DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 54mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.53W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.08mm | |
| Höjd | 0.4mm | |
| Längd | 1.58mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie DMP | ||
Kapseltyp X2-DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 54mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal effektförlust Pd 0.53W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.08mm | ||
Höjd 0.4mm | ||
Längd 1.58mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex P-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera på-motståndet (RDS(ON)) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
Lågt ingångs-/utgångsläckage
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 200 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, -5.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 192 mA 65 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 9 Ben, X2-DSN1515-9, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 510 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X2-DFN, DMP22D5UFO AEC-Q101
