DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, X4-DSN, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-2837
- Tillv. art.nr:
- DMN3061LCA3-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 10000 enheter)*
14 120,00 kr
(exkl. moms)
17 650,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 10000 + | 1,412 kr | 14 120,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2837
- Tillv. art.nr:
- DMN3061LCA3-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | X4-DSN | |
| Serie | DMN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 58mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.88W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 640μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.04mm | |
| Höjd | 220μm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp X4-DSN | ||
Serie DMN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 58mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.88W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 640μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.04mm | ||
Höjd 220μm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera fotavtrycket i handhållna och mobila tillämpningar. Det kan användas för att ersätta många små signal-MOSFET med riktigt litet fotavtryck.
Låg Qg och Qgd
Litet fotavtryck
Låg profil 0,20 mm höjd
Helt blyfri och helt RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, X4-DSN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT-26, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 1 N Kanal Dubbel, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 6 Ben, X4-DSN, DMN3006SCA6
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 5.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.8 A 45 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 9.8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q101