DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, X4-DSN, DMN AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 10000 enheter)*

14 120,00 kr

(exkl. moms)

17 650,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
10000 +1,412 kr14 120,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-2837
Tillv. art.nr:
DMN3061LCA3-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

DMN

Kapseltyp

X4-DSN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

58mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.88W

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.22mm

Längd

0.64mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.04mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera fotavtrycket i handhållna och mobila tillämpningar. Det kan användas för att ersätta många små signal-MOSFET med riktigt litet fotavtryck.

Låg Qg och Qgd

Litet fotavtryck

Låg profil 0,20 mm höjd

Helt blyfri och helt RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.