onsemi 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 16 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 166-2094
- Tillv. art.nr:
- FDMC86260
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 166-2094
- Tillv. art.nr:
- FDMC86260
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Kanaltyp | N | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 16 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 150 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | 1.3 V | |
| Höjd | 750 μm | |
| Längd | 3.3 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 69 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | -20 V, +20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 54 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs | 15 nC | |
| Bredd | 3.3 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Antal element per chip 1 | ||
Kanaltyp N | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 16 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 150 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Framåtriktad spänning (Vf) 1.3 V | ||
Höjd 750 μm | ||
Längd 3.3 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 69 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) -20 V, +20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 54 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Yta | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs 15 nC | ||
Bredd 3.3 mm | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 45 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 22 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 16 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench