Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 220-7490P
- Tillv. art.nr:
- IRFR1010ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
1 391,00 kr
(exkl. moms)
1 739,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 560 enhet(er) från den 09 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 100 - 240 | 13,91 kr |
| 250 - 490 | 13,328 kr |
| 500 - 990 | 12,746 kr |
| 1000 + | 11,872 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7490P
- Tillv. art.nr:
- IRFR1010ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 460nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 366W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 20.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.87mm | |
| Bredd | 5.31mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 460nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 366W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 20.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.87mm | ||
Bredd 5.31mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS N-kanals effekt-MOSFET: er är utvecklade för att öka effektiviteten, effekttätheten och kostnadseffektiviteten. Utformade för högpresterande tillämpningar och optimerade för hög omkopplingsfrekvens, OptiMOS-produkter övertygar med branschens bästa meritfaktor. OptiMOS Power MOSFET-portföljen, som nu kompletteras med Strong IRFET, skapar en verkligt kraftfull kombination. Dra nytta av en perfekt matchning av robust och utmärkt pris/prestanda av starka IRFET MOSFET-transistorer och klassens bästa teknik av OptiMOS MOSFET-transistorer. Båda produktfamiljerna uppfyller de högsta kvalitetsstandarderna och prestandakrav. Den gemensamma portföljen, som täcker spänningar från 12 V upp till 300 V MOSFET, kan hantera ett brett spektrum av behov från låga till höga omkopplingsfrekvenser som SMPS, batteridrivna tillämpningar, motorstyrning och drivenheter, växelriktare och databehandling.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Normal nivå: optimerad för 10 V gate-drivspänning
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Kan våglöddas