Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 40 V Förbättring, 3 Ben, ISOMETRISK, StrongIRFET
- RS-artikelnummer:
- 220-7474
- Tillv. art.nr:
- IRF6613TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
159,94 kr
(exkl. moms)
199,925 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 9 445 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 31,988 kr | 159,94 kr |
| 25 - 45 | 28,806 kr | 144,03 kr |
| 50 - 120 | 26,88 kr | 134,40 kr |
| 125 - 245 | 24,998 kr | 124,99 kr |
| 250 + | 16,016 kr | 80,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7474
- Tillv. art.nr:
- IRF6613TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | ISOMETRISK | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 89W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Bredd | 5.05mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.68mm | |
| Längd | 6.35mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp ISOMETRISK | ||
Serie StrongIRFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 89W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Bredd 5.05mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.68mm | ||
Längd 6.35mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Strong IRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Högströmsklassning
Dubbelsidig kylkapacitet
Låg kapslingshöjd på 0,7 mm
Induktanspaket med låg parasitisk (1-2 NH)
Stor tillgänglighet från distributionspartners
Kvalifikationsnivå enligt branschstandard
Hög strömbärande kapacitet
Optimal termisk prestanda
Kompakt formfaktor
Hög effektivitet
Miljövänligt
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 40 V Förbättring, 3 Ben, ISOMETRISK, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 363 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 360 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET