Infineon N Kanal, 78 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolMOS™ P7
- RS-artikelnummer:
- 220-7468
- Tillv. art.nr:
- IPZA60R120P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 220-7468
- Tillv. art.nr:
- IPZA60R120P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 78 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 650 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 4 | |
| Kapseltyp | TO-247-4 | |
| Serie | CoolMOS™ P7 | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 0.12 Ω | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 78 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 650 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 4 | ||
Kapseltyp TO-247-4 | ||
Serie CoolMOS™ P7 | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 0.12 Ω | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
The Infineon 600V Cool MOS P7 super junction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V Cool MOS P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the Cool MOS 7th generation platform ensure its high efficiency.
600V P7 enables excellent FOM RDS(on)xEoss and RDS(on)xQG
ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)
Integrated gate resistor RG
Rugged body diode
Wide portfolio in through hole and surface mount packages
Both standard grade and industrial grade parts are available
Excellent FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss enable higher efficiency
Ease-of-use in manufacturing environments by stopping ESD failures occurring
Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity
MOSFET is suitable for both hard and resonant switching topologies such as PFC and LLC
Excellent ruggedness during hard commutation of the body diode seen in LLC topology
Suitable for a wide variety of end applications and output powers
Parts available suitable for consumer and industrial applications
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, 78 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolMOS™ P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 206 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 386 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P7