Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 145 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 220-7391
- Tillv. art.nr:
- IPB65R065C7ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
183,90 kr
(exkl. moms)
229,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 850 enhet(er) från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 91,95 kr | 183,90 kr |
| 10 - 18 | 79,07 kr | 158,14 kr |
| 20 - 48 | 73,585 kr | 147,17 kr |
| 50 - 98 | 68,99 kr | 137,98 kr |
| 100 + | 63,45 kr | 126,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7391
- Tillv. art.nr:
- IPB65R065C7ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 145A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 145A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-serie är ett revolutionerande steg framåt inom tekniken, vilket ger världens lägsta RDS(on)/paket och, tack vare sina låga omkopplingsförluster, effektivitetsförbättringar över hela belastningsområdet.
650 V spänning
Revolutionerande klassens bästa R DS(on)/paket
Minskad energi som lagras i utgångskapacitans (Eoss)
Lägre grindladdning Qg
Utrymmesbesparande genom användning av mindre förpackningar eller minskning av delar
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 145 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 145 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 57.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 49 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 9.4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 5.7 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 15 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS AEC-Q101