Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 270 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7342
- Tillv. art.nr:
- AUIRF2804STRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
22 194,40 kr
(exkl. moms)
27 743,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | 27,743 kr | 22 194,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7342
- Tillv. art.nr:
- AUIRF2804STRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 270A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 270A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon offers a wide range of 20V-40V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages to meet a range of needs and achieving RDS(on) down to 0.6mΩ.The new OptiMOS 6 and Optimos5 40V benchmark MOSFET technology enables low conduction losses (best in Class RDSon performance), low switching losses (improved switching behaviour), improved diode recovery and EMC behaviour. This MOSFET technology is used in the most advanced and innovative packages in order to reach the best product performances and quality. For ultimate design flexibility, automotive-qualified MOSFETs are available in a variety of packages to meet a range of needs. Infineon offer customers a steady stream of improvements in current capability, switching behaviour, reliability, package size and overall quality. The newly developed integrated half-bridge is an innovative and cost efficient package solution for motor drive and body applications.
Advanced process technology
Ultra-low on-resistance
175°C operating temperature
Fast switching
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 270 A 40 V Förbättring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 162 A 40 V Förbättring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 270 A 60 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 62 A 75 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 73 A 100 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 5.6 A 20 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 250 A 40 V Förbättring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 38 A 100 V Förbättring TO-263, HEXFET AEC-Q101
