Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 SJ
- RS-artikelnummer:
- 219-6015
- Tillv. art.nr:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 15 enheter)*
58,02 kr
(exkl. moms)
72,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 335 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 3,868 kr | 58,02 kr |
| 75 - 135 | 3,673 kr | 55,10 kr |
| 150 - 360 | 3,524 kr | 52,86 kr |
| 375 - 735 | 3,427 kr | 51,41 kr |
| 750 + | 3,345 kr | 50,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-6015
- Tillv. art.nr:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 950V | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 SJ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 370mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 22W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 950V | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 SJ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 370mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 22W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.41mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest 950V CoolMOS™ P7 technology focuses on the low-power SMPS market. Offering 50V more blocking voltage than its predecessor 900V CoolMOS™ C3, the 950V CoolMOS™ P7 series delivers outstanding performance in terms of efficiency, thermal behaviour and ease-of-use. As the all other P7 family members, the 950V CoolMOS™ P7 series comes with an integrated Zener diode ESD protection. The integrated diode considerably improves ESD robustness, thus reducing ESD-related yield loss and reaching exceptional ease-of-use levels. CoolMOS™ P7 is developed with best-in-class VGS(th) of 3V and a narrow tolerance of only ± 0.5V, which makes it easy to drive and design-in.
Best-in-class VGS(th) of 3V and smallest VGS(th) variation of ±0.5V
Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)
Best-in-class quality and reliability
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 2 A 950 V Förbättring TO-251, CoolMOS P7 SJ
- Infineon Typ N Kanal 4 A 950 V Förbättring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6 A 800 V Förbättring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 5.7 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 7 A 800 V Förbättring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 9.4 A 700 V Förbättring TO-251, CoolMOS P7
- Infineon KIT_6W_13V_P7_950V MOSFET till 950 V CoolMOSTM P7 SJ MOSFET Telecom
- Infineon Typ N Kanal 4 A 950 V Förbättring TO-252, CoolMOS P7