Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 SJ
- RS-artikelnummer:
- 219-6015
- Tillv. art.nr:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
98,22 kr
(exkl. moms)
122,775 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 320 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 6,548 kr | 98,22 kr |
| 75 - 135 | 6,212 kr | 93,18 kr |
| 150 - 360 | 5,959 kr | 89,39 kr |
| 375 - 735 | 5,735 kr | 86,03 kr |
| 750 + | 5,593 kr | 83,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-6015
- Tillv. art.nr:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 950V | |
| Serie | CoolMOS P7 SJ | |
| Kapseltyp | TO-251 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 370mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 22W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 950V | ||
Serie CoolMOS P7 SJ | ||
Kapseltyp TO-251 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 370mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 22W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons utformade för att möta de växande konsumenternas behov inom högspännings-MOSFET-arena, den senaste 950 V CoolMOSTM P7-tekniken fokuserar på SMPS-marknaden med låg effekt. 950 V CoolMOSTM P7-serien erbjuder 50 V mer blockeringsspänning än sin föregångare 900 V CoolMOSTM C3 och ger enastående prestanda när det gäller effektivitet, värmebeteende och användarvänlighet. Precis som alla andra medlemmar i P7-familjen levereras 950 V CoolMOSTM P7-serien med ett integrerat ESD-skydd med Zenerdiod. Den integrerade dioden förbättrar ESD-robustheten avsevärt, vilket minskar ESD-relaterade avkastningsförluster och når exceptionella användarvänlighetsnivåer. CoolMOSTM P7 är utvecklad med klassens bästa VGS(th) på 3 V och en smal tolerans på endast ± 0,5 V, vilket gör den enkel att driva och designa.
Klassens bästa VGS(th) på 3 V och minsta VGS(th)-variation på ±0,5 V
Integrerat zenerdiod-ESD-skydd upp till klass 2 (HBM)
Klassens bästa kvalitet och tillförlitlighet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 SJ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 9.4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 5.7 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon KIT_6W_13V_P7_950V MOSFET till 950 V CoolMOSTM P7 SJ MOSFET, ICE5QSAG till Server, Telecom
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7