Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 219-5987
- Tillv. art.nr:
- IPA80R600P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
127,46 kr
(exkl. moms)
159,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 130 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 12,746 kr | 127,46 kr |
| 50 - 90 | 12,096 kr | 120,96 kr |
| 100 - 240 | 11,581 kr | 115,81 kr |
| 250 - 490 | 11,099 kr | 110,99 kr |
| 500 + | 10,326 kr | 103,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-5987
- Tillv. art.nr:
- IPA80R600P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 800 V CoolMOS P7 superjunction MOSFET-serie passar perfekt för SMPS-tillämpningar med låg effekt genom att helt uppfylla marknadens behov i prestanda, användarvänlighet och pris/prestanda-förhållande. Den fokuserar främst på flyback-tillämpningar inklusive adapter och laddare, LED-drivare, ljud-SMPS, AUX och industriell strömförsörjning. Denna nya produktfamilj erbjuder en effektivitetsförstärkning på upp till 0,6 % och 2 °C till 8 °C lägre MOSFET-temperatur jämfört med sin föregångare samt med konkurrerande delar som testats i typiska flyback-tillämpningar. Det möjliggör också designer med högre effekttäthet genom lägre omkopplingsförluster och bättre DPAK R DS(on)-produkter. Sammantaget hjälper det kunder att spara BOM-kostnader och minska monteringsansträngningen.
Enkel att driva och designa i
Bättre produktionsutbyte genom att minska ESD-relaterade fel
Färre produktionsproblem och minskad fältretur
Enkelt att välja rätt delar för finjustering av konstruktioner
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7