Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 219-5984
- Tillv. art.nr:
- IPA80R360P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 50 enheter)*
655,85 kr
(exkl. moms)
819,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 + | 13,117 kr | 655,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-5984
- Tillv. art.nr:
- IPA80R360P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 800 V CoolMOS P7 superjunction MOSFET-serie passar perfekt för SMPS-tillämpningar med låg effekt genom att helt uppfylla marknadens behov i prestanda, användarvänlighet och pris/prestanda-förhållande. Den fokuserar främst på flyback-tillämpningar inklusive adapter och laddare, LED-drivare, ljud-SMPS, AUX och industriell strömförsörjning. Denna nya produktfamilj erbjuder en effektivitetsförstärkning på upp till 0,6 % och 2 °C till 8 °C lägre MOSFET-temperatur jämfört med sin föregångare samt med konkurrerande delar som testats i typiska flyback-tillämpningar. Det möjliggör också designer med högre effekttäthet genom lägre omkopplingsförluster och bättre DPAK R DS(on)-produkter. Sammantaget hjälper det kunder att spara BOM-kostnader och minska monteringsansträngningen.
Enkel att driva och designa i
Bättre produktionsutbyte genom att minska ESD-relaterade fel
Färre produktionsproblem och minskad fältretur
Enkelt att välja rätt delar för finjustering av konstruktioner
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 800V CoolMOS P7