Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 218-3071
- Tillv. art.nr:
- IPP80N06S209AKSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
273,28 kr
(exkl. moms)
341,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 27,328 kr | 273,28 kr |
| 20 - 40 | 25,95 kr | 259,50 kr |
| 50 - 90 | 24,864 kr | 248,64 kr |
| 100 - 240 | 23,778 kr | 237,78 kr |
| 250 + | 22,131 kr | 221,31 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3071
- Tillv. art.nr:
- IPP80N06S209AKSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.36mm | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.36mm | ||
Höjd 9.45mm | ||
Bredd 4.57mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon 55 V N-kanal fordons-MOSFET. Denna MOSFET används i ventilstyrning, magnetstyrning, belysning, enkelsidiga motorer etc.
N-kanal – Förbättringsläge
175 °C drifttemperatur
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP AEC-Q101
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin TO-220 IPP80N06S207AKSA1
- Infineon Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 20 A 55 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101