Infineon N Kanal, MOSFET, 174 A 150 V N, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5

Denna MOSFET är en strömomkopplande transistor som är utformad för tillämpningar med hög ström och hög spänning där termisk motståndskraft och ytmontering krävs. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är konfigurerad som en N-kanal-enhet i en TO-263-kapsel för ytmontering, lämplig för integrering i omvandlar- och växelriktartopologier.

• Låg påslagningsresistans på 4.4 mΩ minskar ledningsförluster och värmegenerering
• Hög kontinuerlig avtappningsström 174 A stöder användning med hög belastning
• Drain-source-klassningsspänning 150 V möjliggör högspänningskoppling
• Maximal effektförlust på 300 W möjliggör hållbar effekthantering
• Gate-source-spänningsgränsen 20 V passar standard gate-drivenivåer
• Forward-spänning 1,1 V minimerar fall under ledning vid nominell ström

• Lämplig för DC/DC-omvandlare i strömfördelningssystem
• Används för växelriktarsteg i motordrivenheter
• Idealisk för högströmsomkoppling i serverströmförsörjningar
• Kan användas för strömhantering i industriell styrutrustning
• Används med kylflänslösningar i högeffektsenheter

Den är specifik för drift från -55 °C upp till +175 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med kraftiga temperaturvariationer.

Komponenten levereras i en TO-263-förpackning för ytmontering med sju stift, vilket kräver motsvarande jordmönster och värmedyna.

Enheten använder en N-kanalkonfiguration med förstärkningsläge som är lämplig för switchning på låg- eller hög-sidan med lämplig grinddrivning.

Den har en maximal kontinuerlig dräneringsström på 174 A och en maximal effektförlust på 300 W för kontinuerliga strömtillämpningar.