Infineon N Kanal, MOSFET, 177 A 80 V N, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 218-3025
- Tillv. art.nr:
- IPB017N08N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 8%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
309,12 kr
(exkl. moms)
386,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 40 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 5 | 61,824 kr | 309,12 kr | - |
| 10 - 20 | 56,268 kr | 281,34 kr | 8% |
| 25 - 45 | 52,55 kr | 262,75 kr | 15% |
| 50 - 120 | 48,832 kr | 244,16 kr | 21% |
| 125 + | 45,136 kr | 225,68 kr | 26% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3025
- Tillv. art.nr:
- IPB017N08N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 177A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 177A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM 5-serien N-kanals effekt-MOSFET. Enheterna i denna familj är speciellt utformade för synkron likriktering i telekom- och serverströmförsörjning. Dessutom kan de också användas i andra industriella tillämpningar som solenergi, lågspänningsenheter och adaptrar.
Mycket låg på-resistans RDS(on)
N-kanal, normal nivå
100 % avalanche-testade
Blyfri plätering
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 177 A 80 V N, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5 80V
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3