Infineon N Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 217-2632
- Tillv. art.nr:
- IRFS3207ZTRRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
282,24 kr
(exkl. moms)
352,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 56,448 kr | 282,24 kr |
| 25 - 45 | 47,42 kr | 237,10 kr |
| 50 - 120 | 44,598 kr | 222,99 kr |
| 125 - 245 | 41,776 kr | 208,88 kr |
| 250 + | 38,416 kr | 192,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2632
- Tillv. art.nr:
- IRFS3207ZTRRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 170A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.1mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Höjd | 9.65mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.1mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.83mm | ||
Höjd 9.65mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 75 V HEXFET-effekt-MOSFET med enkel N-kanal i en D2-Pak-kapsel.
Förbättrad gate-, avalanche- och dynamisk dv/dt-robusthet
Fullt karakteriserad kapacitet och Avalanche SOA
Förbättrad kroppsdiod dV/dt- och dI/dt-kapacitet
Blyfri
RoHS-kompatibel, halogenfri
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 230 A 75 V, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 260 A 75 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 128 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET