Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

13 647,00 kr

(exkl. moms)

17 058,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 15 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30004,549 kr13 647,00 kr
6000 +4,321 kr12 963,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2616
Tillv. art.nr:
IRFR220NTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

600mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

43W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

2.39mm

Höjd

10.41mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET i D-Pak-förpackning.

Plan cellstruktur för bred SOA

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Kisel optimerat för applikationer som växlar nedan <100kHz

Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard

Kan våglödas

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.