Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 217-2604
- Tillv. art.nr:
- IRF7458TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
27 040,00 kr
(exkl. moms)
33 800,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 6,76 kr | 27 040,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2604
- Tillv. art.nr:
- IRF7458TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 4.9mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 4.9mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET i en SO-8 kapsling.
Ultra-låg grindimpedans
Mycket låg RDS(on)
Fullt karakteriserad lavinspänning och -ström
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.9 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 5.4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET