Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 323,85 kr

(exkl. moms)

1 654,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5026,477 kr1 323,85 kr
100 - 20022,508 kr1 125,40 kr
250 +19,86 kr993,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2566
Tillv. art.nr:
IPP80N06S207AKSA4
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-220

Serie

IPP

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

250W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

86nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon 55 V, N-kanal, 6,6 mΩ max, fordons-MOSFET, TO-220, OptiMOSTM.

N-kanal – Förbättringsläge

Godkänd enligt AEC Q101 för fordon

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

175 °C drifttemperatur

Grön förpackning (blyfri)

Ultralåg Rds(on)

100 % avalanche-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.