Infineon N Kanal, MOSFET, 201 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- RS-artikelnummer:
- 260-1054
- Tillv. art.nr:
- IPP011N04NF2SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 10%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
38,75 kr
(exkl. moms)
48,44 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 38,75 kr | - |
| 10 - 24 | 34,83 kr | 10% |
| 25 - 49 | 32,37 kr | 16% |
| 50 - 99 | 30,02 kr | 22% |
| 100 + | 28,34 kr | 26% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-1054
- Tillv. art.nr:
- IPP011N04NF2SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 201A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | IPP | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 840mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 210nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 201A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie IPP | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 840mV | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 210nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET hanterar ett brett spektrum av applikationer från låg till hög omkopplingsfrekvens och har en bred tillgänglighet från distributionspartners till utmärkt pris-prestanda-förhållande.
Idealisk för hög och låg omkopplingsfrekvens
Paket med hål i industristandard
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 201 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 137 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 113 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 193 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 197 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 84 A, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP AEC-Q101