Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.9 A 600 V P, 3 Ben, TO-220, CoolMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

187,54 kr

(exkl. moms)

234,42 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 960 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +9,377 kr187,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2497
Tillv. art.nr:
IPAN60R650CEXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

CoolMOS

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

650mΩ

Kanalläge

P

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

82W

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

20.5nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

29.87mm

Längd

16.1mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon CoolMOSTM CE är lämplig för hårda och mjuka omkopplingstillämpningar och som modern superförbindelse ger den låga ledningsförluster och omkopplingsförluster som förbättrar effektiviteten och i slutändan minskar strömförbrukningen. 600 V, 650 V och 700 V CoolMOSTM CE kombinerar den optimala R DS(on) och huset som erbjuder lämpliga laddare med låg effekt för mobiltelefoner och surfplattor.

Smala marginaler mellan typisk och maximal R DS(on) Minskad energi lagrad i utgångskapacitans (E oss)

God kroppsdiodens robusthet och minskad omvänd återvinningsladdning (Q rr)

Optimerad integrerad R g

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.