Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, StrongIRFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2603
- Tillv. art.nr:
- IRFSL4410ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
159,49 kr
(exkl. moms)
199,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 150 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 31,898 kr | 159,49 kr |
| 25 - 45 | 28,716 kr | 143,58 kr |
| 50 - 120 | 26,79 kr | 133,95 kr |
| 125 - 245 | 24,886 kr | 124,43 kr |
| 250 + | 22,96 kr | 114,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2603
- Tillv. art.nr:
- IRFSL4410ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 97A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-262 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 120nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 97A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-262 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 120nC | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Strong IRFETTM effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare. Den har tillämpningar som oss högeffektiv synkron likriktering i SMPS, avbrottsfri strömförsörjning, höghastighetsströmomkoppling, hårt omkopplade och högfrekvenskretsar.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Genomgående strömförsörjningshål enligt industristandard
Högströmsklassning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 40 V Förbättring, 3 Ben, ISOMETRISK, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 69 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 483 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, StrongIRFET