Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, StrongIRFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2602
- Tillv. art.nr:
- IRFSL4410ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
835,95 kr
(exkl. moms)
1 044,95 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 150 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 16,719 kr | 835,95 kr |
| 100 - 200 | 15,572 kr | 778,60 kr |
| 250 - 450 | 15,16 kr | 758,00 kr |
| 500 - 950 | 14,773 kr | 738,65 kr |
| 1000 + | 14,403 kr | 720,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2602
- Tillv. art.nr:
- IRFSL4410ZPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 97A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Kapseltyp | TO-262 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 120nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 97A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Kapseltyp TO-262 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 120nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Strong IRFETTM effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare. Den har tillämpningar som oss högeffektiv synkron likriktering i SMPS, avbrottsfri strömförsörjning, höghastighetsströmomkoppling, hårt omkopplade och högfrekvenskretsar.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Genomgående strömförsörjningshål enligt industristandard
Högströmsklassning
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 40 V Förbättring, 3 Ben, ISOMETRISK, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 69 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 483 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, StrongIRFET