Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS P7

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

104,48 kr

(exkl. moms)

130,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 400 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +5,224 kr104,48 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2559
Tillv. art.nr:
IPU80R900P7AKMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

IPAK

Serie

CoolMOS P7

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

45W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 800V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on fly back applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical fly back applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products.

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

Fully optimized portfolio

Relaterade länkar