Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

101 548,00 kr

(exkl. moms)

126 936,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +50,774 kr101 548,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2555
Tillv. art.nr:
IPT60R050G7XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

44A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

CoolMOS P7

Kapseltyp

HSOF

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

50mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

68nC

Maximal effektförlust Pd

245W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons Cool MOSTM C7 Gold super junction MOSFET-serie (G7) kombinerar fördelarna med den förbättrade 600 V Cool MOSTM C7 Gold-tekniken, 4-stifts Kelvin-källkapacitet och de förbättrade termiska egenskaperna i TO-Leadless-paketet (TOLL) för att möjliggöra en möjlig SMD-lösning för högströms hårdkopplingstopologier som effektfaktorkorrigering (PFC) upp till 3 kW och för resonanta kretsar som High End LLC.

Ger bäst i klassen FOM R DS(on)xE oss och R DS(on)xQ G

Möjliggör klassens bästa R DS(on) i minsta fotavtryck

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.