Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CFD7
- RS-artikelnummer:
- 218-3067
- Tillv. art.nr:
- IPP60R125CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
250,10 kr
(exkl. moms)
312,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 420 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 50,02 kr | 250,10 kr |
| 10 - 20 | 45,024 kr | 225,12 kr |
| 25 - 45 | 42,022 kr | 210,11 kr |
| 50 - 120 | 39,02 kr | 195,10 kr |
| 125 + | 36,512 kr | 182,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3067
- Tillv. art.nr:
- IPP60R125CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 92W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.36mm | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 92W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Bredd 4.57mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.36mm | ||
Höjd 9.45mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 600V CoolMOSª CFD7 N-kanalig Power MOSFET. CoolMOS™ är en revolutionerande teknik för MOSFETs för högspänningseffekt, utformad enligt superjunktionsprincipen (SJ) och banbrytande av Infineon Technologies.
Ultrasnabb kroppsdiod
Låg grindladdning
Klassens bästa återvinningsavgift (Qrr)
Förbättrad robusthet för MOSFET-omvänd diod dv/dt och diF/dt
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V P, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V, 3 Ben, TO-247, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 600 V, 3 Ben, TO-247, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, 600V CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CFD7