Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 215-2479
- Tillv. art.nr:
- IPA60R360P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
451,00 kr
(exkl. moms)
564,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 9,02 kr | 451,00 kr |
| 100 - 200 | 8,454 kr | 422,70 kr |
| 250 - 450 | 8,355 kr | 417,75 kr |
| 500 - 950 | 8,252 kr | 412,60 kr |
| 1000 + | 8,154 kr | 407,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2479
- Tillv. art.nr:
- IPA60R360P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 22W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 22W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 600 V avtappningskällspänning, 9 A kontinuerlig avtappningsström – IPA60R360P7SXKSA1
Denna MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för strömomvandlingsroller i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är konstruerad för genomgående hålmontering i konventionella monteringsarbetsflöden, vilket ger en kompakt lösning för kretsar som kräver en robust N-kanalförstärkningsenhet med hög dränerings-till-källspänning.
Funktioner och fördelar:
• 600 V avtappningstolerans möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 9 A stöder medelstora belastningar
• 360 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid driftström
• 22 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 13 nC typisk grindladdning säkerställer effektiva drivkraven
• 0.9 V framspänning minimerar diodledningsfallet
• Kontinuerlig dräneringsström på 9 A stöder medelstora belastningar
• 360 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid driftström
• 22 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 13 nC typisk grindladdning säkerställer effektiva drivkraven
• 0.9 V framspänning minimerar diodledningsfallet
Användningsområden
• Lämplig för industriella högspänningsströmförsörjningar
• Idealisk för switchade effektomvandlingstopologier
• Används för hårdväxling i växelriktarsteg
• Kan användas för effektfaktorkorrigering på nätsidan
• Används med värmesänkta enheter i strömmoduler
• Idealisk för switchade effektomvandlingstopologier
• Används för hårdväxling i växelriktarsteg
• Kan användas för effektfaktorkorrigering på nätsidan
• Används med värmesänkta enheter i strömmoduler
Vilket paket och monteringsmetod använder den?
Den levereras i en TO-220-förpackning och är avsedd för genomgående hålmontering för att ge en säker mekanisk och termisk anslutning.
Vilka grind- och termiska gränsvärden måste en konstruktör följa?
Grinden kan drivas upp till 20 V i förhållande till källan och enheten bör kylas för att hantera upp till 22 W förlust inom dess arbetstemperaturområde.
Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?
Den är klassad för drift över låga -55 °C upp till höga 150 °C för en mängd olika termiska miljöer.
Vilket ledningsläge och kanaltyp erbjuds?
Komponenten är en N-kanals förstärkningsenhet som är lämplig för vanliga transistorswitchtopologier.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7