Infineon 2 N Kanal N-kanal MOSFET, MOSFET, 50 A 25 V Förbättring, 8 Ben, Strömblock 5x6, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 215-2467
Tillv. art.nr:: BSG0811NDATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon 2 N Kanal N-kanal MOSFET, MOSFET, 50 A 25 V Förbättring, 8 Ben, Strömblock 5x6, OptiMOS

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

149,46 kr

(exkl. moms)

186,82 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

3 370 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 +	14,946 kr	149,46 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 215-2467
Tillv. art.nr:: BSG0811NDATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	50A
	Maximal källspänning för dränering Vds	25V
	Kapseltyp	Strömblock 5x6
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	3mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	840mV
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	4.5V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	8.4nC
	Maximal effektförlust Pd	6.25W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Transistorkonfiguration	N-kanal MOSFET
	Bredd	6.1mm
	Standarder/godkännanden	JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	Höjd	1.1mm
	Längd	5.1mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A
	Maximal källspänning för dränering Vds 25V
	Kapseltyp Strömblock 5x6
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 840mV
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 4.5V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.4nC
	Maximal effektförlust Pd 6.25W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Transistorkonfiguration N-kanal MOSFET
	Bredd 6.1mm
	Standarder/godkännanden JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	Höjd 1.1mm
	Längd 5.1mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSG0811NDATMA1

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 25 V drain-källspänning, 50 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSG0811NDATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta kraftkonstruktioner. Den fungerar med en N-kanaltopologi med förstärkningsläge och innehåller två element på ett enda kretskort för att betjäna dubbla switchar. Enheten är lämplig för tillämpningar som kräver en grind på logiknivå och låg påslagningsresistans i en lågspänningsmiljö, och levereras i ett Power Block 5x6-paket för täta kortlayouter.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg Rds(on) på 3 mΩ ger minskade ledningsförluster
• Maximal kontinuerlig avtappningsström 50 A för höga strömkrav
• Grind på logiknivå med Vgs-gränsen på 4,5 V för direktdrivningskompatibilitet
• Typisk grindladdning Qg 8.4 nC med stöd för snabba grindövergångar
• Nominell effektförlust på 6,25 W för effektiv värmehantering
• Driftområde -55 °C till 150 °C för bred temperaturtolerans

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för server VRM och högströms DC-DC-moduler
• Används med batterihanteringskretsar i lågspänningssystem
• Kan användas för motordrivningsstegen i kompakta styrenheter
• Lämplig för högeffektiv strömfördelning och lastväxling

Vilka termiska gränser bör beaktas vid kretskortsdesign?

Enheten kan användas med upp till 150 °C kopplingstemperatur och avleder upp till 6.25 W

termiska ledningar och tillräcklig kopparyta rekommenderas för att hantera värme.

Hur påverkar den dubbelkomponentskonstruktionen valet av layout?

Två element per chip ger parallella strömvägar, vilket minskar individuell matrisbelastning och möjliggör snävare placering för symmetrisk värmefördelning.

Vilka gate-drivningsegenskaper krävs för effektiv omkoppling?

En gate-drivare som är kompatibel med en maximal gate-source-klassning på 4,5 V och låg laddningskrav på 8,4 nC minskar gate-drivareförluster och omkopplingsenergi.

Finns det material- eller regelverk som är relevanta för urvalet?

Komponenten överensstämmer med JEDEC och RoHS och tillverkas på IEC61249-2-21-substrat, vilket indikerar standardiserat material och blyfria krav.