Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10.9 A 250 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 214-8988
- Tillv. art.nr:
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
170,69 kr
(exkl. moms)
213,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 70 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 17,069 kr | 170,69 kr |
| 50 - 90 | 16,218 kr | 162,18 kr |
| 100 - 240 | 15,534 kr | 155,34 kr |
| 250 - 490 | 14,851 kr | 148,51 kr |
| 500 + | 13,832 kr | 138,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8988
- Tillv. art.nr:
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 165mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.49mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Bredd | 6.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 165mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.49mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Bredd 6.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 250 V OptiMOS-produkter är prestandalinjeledande tekniker, perfekt lämpade för synkron likriktering i 48 V-system, DC-DC-omvandlare, avbrottsfria nätaggregat (UPS) och växelriktare för DC-motordrivningar. Med den lägsta utrymmesförbrukningen på kortet möjliggör dessa systemkostnadsförbättring. De levererar bäst prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och miljövänliga egenskaper.
Den har en drifttemperatur på 150 °C
Kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10.9 A 250 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 39.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS P3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 176 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 5