Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 214-4445
- Tillv. art.nr:
- IRF2907ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
14 300,00 kr
(exkl. moms)
17 875,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | 17,875 kr | 14 300,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4445
- Tillv. art.nr:
- IRF2907ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 170A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 270nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 270nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna Infineon HEXFET Power MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselarea. Den har snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv avalanche-klassning.
Det är blyfritt
Kan våglödas
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 230 A 75 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 75 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 260 A 75 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 128 A 75 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET