Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 112 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 214-4409
- Tillv. art.nr:
- IPP076N15N5AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
102,82 kr
(exkl. moms)
128,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 20,564 kr | 102,82 kr |
| 25 - 45 | 18,30 kr | 91,50 kr |
| 50 - 120 | 17,068 kr | 85,34 kr |
| 125 - 245 | 16,038 kr | 80,19 kr |
| 250 + | 14,806 kr | 74,03 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4409
- Tillv. art.nr:
- IPP076N15N5AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 112A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 49nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.4mm | |
| Längd | 10.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 112A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.4mm | ||
Längd 10.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
600 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänligheten i designprocessen. Klassens bästa RonxA och den inneboende låga grindladdningen (QG) i Cool MOSTM 7:e generationens plattform säkerställer dess höga effektivitet.
Den har robust kroppsdiod
Integrerad RG minskar MOSFET-oscillationskänsligheten
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 112 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3