DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10H4M6SPS
- RS-artikelnummer:
- 213-9230
- Tillv. art.nr:
- DMTH10H4M6SPS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
97,59 kr
(exkl. moms)
121,99 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 465 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,518 kr | 97,59 kr |
| 50 - 95 | 16,732 kr | 83,66 kr |
| 100 - 245 | 14,628 kr | 73,14 kr |
| 250 - 995 | 14,314 kr | 71,57 kr |
| 1000 + | 11,94 kr | 59,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 213-9230
- Tillv. art.nr:
- DMTH10H4M6SPS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | DMTH10H4M6SPS | |
| Kapseltyp | PowerDI5060 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.15mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie DMTH10H4M6SPS | ||
Kapseltyp PowerDI5060 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.15mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DiodesZetex DMTH10H4M6SPS-serien är en N-kanal MOSFET som är utformad för att minimera påslagningsresistansen, bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Låg ingångskapacitans
Snabb kopplingshastighet
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10H4M6SPS
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 20.1 kA 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 86 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10H009SPSQ
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 91 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10H009LPSQ
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH84M1SPSQ
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH31M7LPSQ
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMNH4004 AEC-Q101