DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 380 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN61D9U AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 213-9193
- Tillv. art.nr:
- DMN61D9UT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 200 enheter)*
326,80 kr
(exkl. moms)
408,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 800 enhet(er) från den 11 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 1,634 kr | 326,80 kr |
| 400 - 600 | 1,602 kr | 320,40 kr |
| 800 - 1000 | 1,453 kr | 290,60 kr |
| 1200 + | 1,307 kr | 261,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 213-9193
- Tillv. art.nr:
- DMN61D9UT-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 380mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | DMN61D9U | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal effektförlust Pd | 540mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 3mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 380mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie DMN61D9U | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal effektförlust Pd 540mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 3mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DMN61D9U-serien MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen, bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Låg ingångskapacitans
Snabb kopplingshastighet
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 380 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN61D9U AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 380 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 380 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMP31 AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 380 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002K AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 90 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101