Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJA66EP_RC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 210-5050
- Tillv. art.nr:
- SQJA66EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
18 951,00 kr
(exkl. moms)
23 688,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 6,317 kr | 18 951,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 210-5050
- Tillv. art.nr:
- SQJA66EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SQJA66EP_RC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 64.9nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SQJA66EP_RC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 64.9nC | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay N-kanal MOSFET har PowerPAK SO-8L-kapseltyp.
R-C-värden för den elektriska kretsen i foster-/tank- och cauer-/filterkonfigurationer ingår
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJA66EP_RC AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJ146EP AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 5.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 467 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 373 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 346 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SQRS144EP AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 99 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101