Vishay N Kanal, MOSFET, 66.7 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SiSS78LDN

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-5020
Tillv. art.nr:
SiSS78LDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

66.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

70V

Serie

SiSS78LDN

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8S

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

4.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

32nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

57W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.4mm

Höjd

830μm

Bredd

3.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.