Vishay N Kanal, MOSFET, 66.7 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SiSS78LDN

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
210-5019
Tillv. art.nr:
SiSS78LDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

66.7 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

70 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

8

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8S

Serie

SiSS78LDN

Fordonsstandard

Nej

Framåtriktad spänning (Vf)

1.1 V

Höjd

830 μm

Längd

3.4 mm

Maximal drain-källresistans (Rds)

4.8 mΩ

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

20 V

Maximal arbetstemperatur

150 °C

Maximal effektförlust (Pd)

57 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Yta

Standarder/godkännanden

No

Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs

32 nC

Bredd

3.4 mm

The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.