Vishay N Kanal, MOSFET, 54.7 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS30ADN

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

17 700,00 kr

(exkl. moms)

22 140,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,90 kr17 700,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-5010
Tillv. art.nr:
SiSS30ADN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

54.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

SiSS30ADN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

7.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.5nC

Maximal effektförlust Pd

57W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.83mm

Längd

3.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.4mm

Fordonsstandard

Nej

Vishays N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har PowerPAK 1212-8S-kapseltyp med 54,7 A dräneringsström.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Mycket låg RDS x Qg meritfaktor (FOM)

Stämd för lägsta RDS x Qoss FOM

100 % Rg och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.