Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- RS-artikelnummer:
- 208-8477
- Tillv. art.nr:
- CSD17484F4
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Få en mängdrabatt
Lägg till 250 till för att spara 32,50 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
133,30 kr
(exkl. moms)
166,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 05 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | 2,666 kr | 133,30 kr | - |
| 250 - 450 | 2,536 kr | 126,80 kr | 32,50 kr |
| 500 - 1200 | 2,28 kr | 114,00 kr | 193,00 kr |
| 1250 - 2450 | 2,052 kr | 102,60 kr | 767,50 kr |
| 2500 + | 1,951 kr | 97,55 kr | 1 787,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 208-8477
- Tillv. art.nr:
- CSD17484F4
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Texas Instruments | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | VSONP | |
| Serie | NexFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 128mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 500mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 1mm | |
| Bredd | 600μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 200μm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Texas Instruments | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp VSONP | ||
Serie NexFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 128mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 500mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 1mm | ||
Bredd 600μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 200μm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
-
-
Relaterade länkar
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 100 A 16 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- Texas Instruments 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- Texas Instruments Typ P Kanal, MOSFET, 76 A 20 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, VSONP AEC-Q101