DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMP2900 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- RS-artikelnummer:
- 206-0114
- Tillv. art.nr:
- DMP2900UW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
20,20 kr
(exkl. moms)
25,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 150 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,404 kr | 20,20 kr |
| 100 - 200 | 0,352 kr | 17,60 kr |
| 250 - 450 | 0,343 kr | 17,15 kr |
| 500 - 950 | 0,336 kr | 16,80 kr |
| 1000 + | 0,329 kr | 16,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 206-0114
- Tillv. art.nr:
- DMP2900UW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 600mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | DMP2900 | |
| Kapseltyp | SOT-323 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 750mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.3W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2mm | |
| Bredd | 1.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 900μm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 600mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie DMP2900 | ||
Kapseltyp SOT-323 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 750mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.3W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2mm | ||
Bredd 1.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 900μm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DiodesZetex 20 V P-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Grindkällans spänning är 6 V med 0,3 W termisk effektförlust.
Låg på-resistans
Låg ingångskapacitans
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMP2900 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMP2165UW AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 380 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMP31 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 150 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMP1009 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 75 mA 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101