DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMP2900 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 5,20 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

20,20 kr

(exkl. moms)

25,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 50 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
50 - 500,404 kr20,20 kr-
100 - 2000,352 kr17,60 kr5,20 kr
250 - 4500,343 kr17,15 kr15,25 kr
500 - 9500,336 kr16,80 kr34,00 kr
1000 +0,329 kr16,45 kr75,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-0114
Tillv. art.nr:
DMP2900UW-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

600mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-323

Serie

DMP2900

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

750mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

0.3W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

6V

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.7nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

900μm

Längd

2mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.8mm

Fordonsstandard

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

COO (ursprungsland):
CN
DiodesZetex 20 V P-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Grindkällans spänning är 6 V med 0,3 W termisk effektförlust.

Låg på-resistans

Låg ingångskapacitans

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.