DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMNH4004 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 206-0094
- Tillv. art.nr:
- DMNH4004SPS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 206-0094
- Tillv. art.nr:
- DMNH4004SPS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerDI5060 | |
| Serie | DMNH4004 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.8W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Längd | 5.6mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerDI5060 | ||
Serie DMNH4004 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.8W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.9mm | ||
Längd 5.6mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DiodesZetex 40 V N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Grindkällans spänning är 20 V med 1,3 W termisk effektförlust.
Klassad för +175 °C är idealisk för miljöer med hög omgivningstemperatur
Låg Qg – minimerar omkopplingsförluster
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMNH4004 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 150 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 69.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 22 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 11 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 170 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 82 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT AEC-Q101