DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN3401 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- RS-artikelnummer:
- 206-0085
- Tillv. art.nr:
- DMN3401LDW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
142,45 kr
(exkl. moms)
178,05 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 900 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,849 kr | 142,45 kr |
| 100 - 200 | 2,507 kr | 125,35 kr |
| 250 - 450 | 2,439 kr | 121,95 kr |
| 500 - 950 | 2,39 kr | 119,50 kr |
| 1000 + | 2,316 kr | 115,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 206-0085
- Tillv. art.nr:
- DMN3401LDW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 800mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Serie | DMN3401 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 700mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.35W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Längd | 2.15mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 800mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Serie DMN3401 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 700mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 0.35W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.95mm | ||
Längd 2.15mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DiodesZetex 30 V MOSFET med dubbelt N-kanalförstärkningsläge är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Grindkällans spänning är 20 V med 0,29 W termisk effektförlust.
Låg på-resistans
Låg ingångskapacitans
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN3401 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 217 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 261 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, 2N7002 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 261 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 460 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-363, DMN53D0LDWQ AEC-Q200, AEC-Q100,
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMC3401 AEC-Q200, AEC-Q104,
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563, DMC2710 AEC-Q101, AEC-Q100,