DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN3401 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

125,25 kr

(exkl. moms)

156,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 502,505 kr125,25 kr
100 - 2002,204 kr110,20 kr
250 - 4502,144 kr107,20 kr
500 - 9502,101 kr105,05 kr
1000 +2,036 kr101,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-0085
Tillv. art.nr:
DMN3401LDW-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

800mA

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-363

Serie

DMN3401

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

700mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

0.35W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.5nC

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.95mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2.15mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

COO (ursprungsland):
CN
The DiodesZetex 30V dual N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20 V with 0.29 W thermal power dissipation.

Low on-resistance

Low input capacitance

Relaterade länkar