STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5.5 A 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, STN6N60M2
- RS-artikelnummer:
- 204-9959P
- Tillv. art.nr:
- STN6N60M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 250 enheter (levereras i en rulle)*
1 531,00 kr
(exkl. moms)
1 913,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 225 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 250 - 600 | 6,124 kr |
| 625 + | 5,103 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-9959P
- Tillv. art.nr:
- STN6N60M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | STN6N60M2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.25Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 6W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.48mm | |
| Längd | 6.8mm | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie STN6N60M2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.25Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 6W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.48mm | ||
Längd 6.8mm | ||
Höjd 1.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics-enhet är en N-kanalig effekt-MOSFET som utvecklats med MDmesh M2-teknik. Tack vare sin remslayout och en förbättrad vertikal struktur har enheten lågt motstånd under drift och optimerade omkopplingsegenskaper, vilket gör den lämplig för de mest krävande högeffektiva omvandlarna.
Extremt låg grindladdning
Utmärkt utgångskapacitansprofil (Coss)
100 % avalanche-testade
Zener-skyddad