Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SiHG052N60EF

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 500 enheter)*

20 563,00 kr

(exkl. moms)

25 704,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
500 +41,126 kr20 563,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-7206
Tillv. art.nr:
SIHG052N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

48A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

SiHG052N60EF

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

52mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

101nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

278W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

20.7mm

Bredd

5.31mm

Längd

15.87mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Vishays EF-serie effekt-MOSFET med snabb kroppsdiod har en 4:e generationens E-serieteknik. Den har minskade omkopplings- och ledningsförluster.

Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg

Låg effektiv kapacitans (Co(er)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.