STMicroelectronics 2 N Kanal, MOSFET, 4 A 12 V, 8 Ben, TSOT23-8L, E-Fuse

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
203-3437
Tillv. art.nr:
STEF512GR
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

TSOT23-8L

Serie

E-Fuse

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.04Ω

Antal element per chip

2

STMicroelectronics integrerade dubbla elektroniska säkringar, utformade för att skydda kretsar på sin utgång från överströms- och överspänningshändelser, i de tillämpningar som kräver varmbytesdrift och inrush-strömstyrning. Den har två oberoende elektroniska säkringar, en för 5 V-skenorna och en för 12 V-skenorna. Spänningsfallet från huvudströmförsörjningen till belastningen är mycket lågt under normal drift, på grund av det mycket låga ON-motståndet hos de integrerade Power FET-enheterna. STEF512GR begränsar utgångsströmmen till det fördefinierade säkra värdet när ett överbelastningstillstånd inträffar. Uppstartstiden kan justeras av användaren för varje e-säkerhet, via två små kondensatorer med mjukstart, som är anslutna till de relevanta stiften.

Termiskt skydd vid avstängning

Ingångsspänningsavstängning

SAS-avaktiveringsstift med TSOT23-8L-hus

Precis utgång över spänningsklemme

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.