onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 77 A 650 V N, 8 Ben, HPSOF-8L, EliteSiC
- RS-artikelnummer:
- 333-415
- Tillv. art.nr:
- NTBL023N065M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
161,95 kr
(exkl. moms)
202,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 993 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 161,95 kr |
| 10 - 99 | 145,82 kr |
| 100 + | 134,51 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 333-415
- Tillv. art.nr:
- NTBL023N065M3S
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 77A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | HPSOF-8L | |
| Serie | EliteSiC | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 32.6mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 312W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Längd | 9.9mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 77A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp HPSOF-8L | ||
Serie EliteSiC | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 32.6mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximal effektförlust Pd 312W | ||
Framåtriktad spänning Vf 6V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Längd 9.9mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
ON Semiconductor SiC MOSFET optimerad för högeffektiva omkopplingstillämpningar, erbjuder låga ledningsförluster och robust termisk prestanda. Dess avancerade design förbättrar tillförlitligheten i krävande kraftsystem samtidigt som den bibehåller kompakt förpackning. Denna enhet säkerställer effektiv drift med minimal energiförlust.
H-paket PSOF8L
RoHS-kompatibel
Blyfri
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V N, 8 Ben, HPSOF-8L, EliteSiC
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 650 V Förbättring, 8 Ben, HPSOF-8L, NTBL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 8 Ben, HPSOF-8L, NTBL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, HPSOF-8L, NTB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 77 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-LHSOF-4, IMT
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 77 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 77 A 1200 V Förbättring, 18 Ben, PIM18, NXH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V N, 8 Ben, TDFN, SUPERFET III