STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V, 3 Ben, TO-252, M6
- RS-artikelnummer:
- 203-3433P
- Tillv. art.nr:
- STD18N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
800,80 kr
(exkl. moms)
1 001,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 95 | 16,016 kr |
| 100 - 245 | 15,59 kr |
| 250 - 995 | 15,164 kr |
| 1000 + | 14,806 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 203-3433P
- Tillv. art.nr:
- STD18N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | M6 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 230mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 10.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie M6 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 230mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 10.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics N-channel MDmesh M6 Power MOSFET incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. Previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, is built by STMicroelectronics. This combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Low gate input resistance
100% avalanche tested
Zener-protected