onsemi N Kanal, MOSFET, 121 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- RS-artikelnummer:
- 202-5695
- Tillv. art.nr:
- NTBGS6D5N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 202-5695
- Tillv. art.nr:
- NTBGS6D5N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 121A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 238W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 57nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 15.7mm | |
| Längd | 10.2mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 121A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 238W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 57nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 15.7mm | ||
Längd 10.2mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 4.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductors effekt-MOSFET med en N-kanal körs med 121 ampere och 150 volt. Den kan användas i elverktyg, batteridrivna dammsugare, UAV/drönare, materialhantering, BMS/förvaring, hemautomation.
Låg dränering till källa på resistans
Lågt omkopplingsbrus
Blyfri
Halogenfria
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 121 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- onsemi N Kanal, MOSFET, 185 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- onsemi N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- onsemi N Kanal, MOSFET, 201 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, NTB
- onsemi N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- onsemi N Kanal, MOSFET och diod, 60 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, NTB
- onsemi N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB AEC-Q101