onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- RS-artikelnummer:
- 202-5690
- Tillv. art.nr:
- NTBG040N120SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
1 072,51 kr
(exkl. moms)
1 340,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Försörjningsbrist
- Dessutom levereras 725 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 214,502 kr | 1 072,51 kr |
| 50 + | 184,912 kr | 924,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5690
- Tillv. art.nr:
- NTBG040N120SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 106nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 357W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.2mm | |
| Höjd | 15.7mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 106nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 357W | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.2mm | ||
Höjd 15.7mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Kiselkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Kiselkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
ON Semiconductor silikonkarbid effekt-MOSFET körs med 60 ampere och 1200 volt. Den kan användas i avbrottsfri strömförsörjning, DC- eller DC-omvandlare, Boost-växelriktare.
40 mO Dränering till källa på resistans
Ultralåg grindladdning
100 % avalanche-testade
Blyfri
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET och diod, 19.5 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 201 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, NTB
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 121 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 185 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB